Für besonders leistungsstarke und effiziente Wechselrichtersysteme, die in Bahnen, Stromnetzen und mehr eingesetzt werden
Die Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) gab heute bekannt, dass sie am 31. Mai mit der Auslieferung von Mustern eines neuen Schottky-Barrierediode (SBD)-eingebetteten Siliziumkarbid (SiC)-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-Moduls (MOSFET) mit Dual-Typ-Spannungsfestigkeit von 3,3 kV und 6,0 kVrms Spannungsfestigkeit beginnen wird. Es wird erwartet, dass das neue Modul überlegene Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit in Wechselrichtersystemen für große Industrieanlagen wie Eisenbahnen und Stromversorgungssysteme unterstützt. Es wird auf wichtigen Messen ausgestellt, darunter die Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 in Nürnberg vom 9. bis 11. Mai.
Mitsubishi Electric hat bereits vier Voll-SiC-Module und zwei 3,3-kV-Hochspannungs-Dual-Typ-LV100-Module auf den Markt gebracht. Um einen weiteren Beitrag zu hoher Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit von Wechselrichtern für große Industrieanlagen zu leisten, wird das Unternehmen in Kürze Muster seines neuen Moduls zur Verfügung stellen, das als SiC-MOSFET mit integriertem SBD und optimierter Gehäusestruktur die Schaltverluste reduziert.
Produktmerkmale | |
1) | SBD-Embedded-SiC-MOSFET reduziert die Verlustleistung und trägt zur Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit des Wechselrichters bei |
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