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05.05.Rohm Semiconductor: Highlights für E-Mobility und Industrial2
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30.04.Rohm stellt neue SiC-Power-Module vor: Miniaturisierung und Gewichtsreduzierung: Der japanische Hersteller ...3
30.04.Kompakte SiC-Leistungsmodule mit hoher Wärmeableitung für Onboard-Ladegeräte: Rohm hat neue ...1
28.04.ROHM Semiconductor: ROHM's Latest 2kV SiC MOSFETs Integrated into Semikron Danfoss' Module for SMA's Large-Scale Power Conversion System1
28.04.Rohm bringt kompaktes SiC-Modul mit hoher Leistungsdichte auf den Markt261Der japanische Halbleiterhersteller Rohm hat ein neues kompaktes HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFETs der vierten Generation vorgestellt. Die SiC-Module wurden speziell für Automobilanwendungen entwickelt....
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28.04.Semikron Danfoss' module with ROHM's latest 2kV SiC MOSFETs integrated into SMA's large-scale solar system38
28.04.Rohm: SiC-Power-Module mit hoher Leistungsdichte7
28.04.ROHM entwickelt neue SiC-Leistungsmodule mit hoher Leistungsdichte231Kyoto, Japan (ots/PRNewswire) - - Kompaktes Design mit hoher Wärmeableitung setzt neuen Standard für OBC -ROHM Co., Ltd. hat neue 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Gussmodule im HSDIP20-Gehäuse für Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen...
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24.04.ROHM Semiconductor: ROHM Develops New High Power Density SiC Power Modules140Santa Clara, CA and Kyoto, Japan, April 24, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- ROHM Semiconductor today announced the development of new 4-in-1 and 6-in-1 SiC molded modules in the HSDIP20 package optimized...
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24.04.ROHM adds high-power-density 4-in-1 and 6-in-1 SiC power modules in HSDIP20 package2
17.04.ROHM Semiconductor: ROHM at PCIM Europe 2025: Powerful Highlights for E-Mobility and Industrial Applications1
17.04.ROHM highlighting e-mobility and industrial applications at PCIM 20251
10.04.ROHM Semiconductor: ROHM Develops Class-Leading* Low ON-Resistance, High-Power MOSFETs for High-Performance Enterprise and AI Servers1
05.04.Mazda und Rohm arbeiten an Halbleitern der nächsten Generation908Der japanische Halbleiter-Hersteller Rohm und der Autokonzern Mazda wollen gemeinsam Autokomponenten unter Verwendung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleitern entwickeln. Diese stellen in den Augen...
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03.04.Mazda und Rohm arbeiten an GaN-Leistungshalbleitern: Mazda und Rohm entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten ...5
31.03.Mazda und ROHM entwickeln gemeinsam Halbleiterkomponenten13
28.03.Dividendenbekanntmachungen (28.03.2025)22.819 Unternehmen  ISIN-Code  Dividende (Währung)  Dividende (EUR)  ABERDEEN GROUP PLC ADR  US00108N1000  0,3716 USD  0,3442 EUR  ACOM CO LTD  JP3108600002  7 JPY  0,0429 EUR  ADVANEX INC  JP3213400009  20...
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28.03.Mazda, Rohm develop automotive GaN chips3
28.03.Mazda and ROHM jointly developing automotive components using GaN20
28.03.Auf Basis von GaN-Leistungshalbleitern: Mazda und Rohm entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten5
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