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11.02.2010 | 12:18
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DGAP-Media: ELMOS Semiconductor AG: LIN-System-Basis-Chip mit ESD-Festigkeit von mehr als 12kV

DJ DGAP-Media: ELMOS Semiconductor AG: LIN-System-Basis-Chip mit ESD-Festigkeit von mehr als 12kV

ELMOS Semiconductor AG / Produkte/Innovationen 11.02.2010 11:47 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch die DGAP - ein Unternehmen der EquityStory AG. Für den Inhalt der Mitteilung ist der Herausgeber verantwortlich.
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ELMOS Baustein E910.48 erfüllt OEM-Anforderungen 
 
Dortmund: ELMOS stellt mit dem E910.48 einen LIN-System-Basis-Chip, 
bestehend aus einem LIN Transceiver,  Spannungsreger und einem Watchdog, 
vor. Der Baustein kann zusammen mit jedem µC im Automobil eingesetzt 
werden. Um den hohen Anforderungen im Automobil gerecht zu werden, hat 
ELMOS besonderen Wert auf die EMV- und ESD-Festigkeit gelegt. So wurde eine 
System-Level ESD-Festigkeit von mehr als 12 kV nach IEC61000-4-2 erreicht, 
wodurch der Baustein in den meisten Fällen ohne zusätzlichen externen ESD 
Schutz eingesetzt werden kann. 
 
Der E910.48 erfüllt die hohen Anforderungen, auf die sich die deutschen 
OEMs verständigt haben und ist auch für den Einsatz bei französischen und 
US-Amerikanischen OEMs freigegeben.Der E910.48A ist als Serienprodukt 
lieferbar. Muster und Serienprodukte des Bausteins und ein Evaluation-Board 
sind erhältlich und können über www.elmos.de/produkte/order-samples 
angefordert werden. 
 
Der Spannungsregler wird durch ein Ansteigen der Batteriespannung über die 
Power-On-Reset Schwelle, ein Remote Wakeup-Frame auf dem Bus oder einen 
lokalen Wake-Up aktiviert. Eine Flankenauswertung am Bus mit zusätzlicher 
Entprellung verhindert dabei zuverlässig zyklische Wake-up''s im Fehlerfall 
oder Teilnetzbetrieb. Eine fallende Flanke am Enable-Eingang versetzt das 
IC in den Sleepmode und deaktiviert den Spannungsregler. 
 
Als Ausgangsspannung kann 5V oder 3,3V gewählt werden. Der integrierte 
Spannungsregler versorgt die Applikation mit einem Laststrom von bis zu 
100mA. Bei Bedarf sind höhere Ströme durch Einsatz eines externen 
Transistors realisierbar. Der Spannungsregler arbeitet ab einer sehr 
geringen Pufferkapazität von 100nF stabil und reduziert damit die Kosten 
für externe Komponenten. 
 
Der Baustein mit LIN1.3, LIN 2.0, LIN 2.1 und SAE-J2602 kompatiblem 
Transceiver besitzt zusätzlich einen Watchdog mit einem einstellbaren 
Zeitfenster im Bereich von 3ms bis zu 75ms. Die Reset-Generierung ist 
vielseitig konfigurierbar. Als Resetschwelle kann 3.15V oder 4.45V (5V 
Mode) oder 2.94V (3.3V Mode) gewählt werden. Die Resetzeit kann 9ms oder 
65ms betragen.. Gebräuchliche Werte für den Watchdog und Reset können ohne 
externe Bauteile festgelegt werden, was die Systemkosten minimiert und 
gleichzeitig die Zuverlässigkeit erhöht. 
 
In Kombination mit einer sehr niedrigen Ruhestromaufnahme (typ. 20µA) ist 
der E910.48 ein leistungsfähiger Baustein für den Einsatz in 
LIN-Netzwerken.. 
 
Für mehr Informationen, Application Notes, Muster und Evaluations-Boards 
schreiben Sie bitte eine E-Mail an sales@elmos.de mit dem Betreff 
''E910.48'', besuchen Sie unsere Internetseite www.elmos.de oder nehmen per 
Telefon Kontakt mit uns auf: + 49 231 7549 100. 
 
Die ELMOS Semiconductor AG ist Entwickler und Hersteller von 
System­lösungen auf Halbleiterbasis. Seit 25 Jahren werden rund 90% des 
Umsatzes mit Chips für die Automobilelektronik erzielt. 
 
ELMOS Semiconductor AG 
Mathias Kukla 
Heinrich-Hertz-Str. 1 
44227 Dortmund 
 
Telefon 02 31-75 49-0 
Direkt -199 
Fax 02 31-75 49-548 
 
info@elmos.de 
www.elmos.de 
 
 
 
 
11.02.2010 11:47 Ad-hoc-Meldungen, Finanznachrichten und Pressemitteilungen übermittelt durch die DGAP. 
Medienarchiv unter http://www.dgap-medientreff.de und http://www.dgap.de 
 
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Sprache:      Deutsch 
Unternehmen:  ELMOS Semiconductor AG 
              Heinrich-Hertz-Str. 1 
              44227 Dortmund 
              Deutschland 
Internet:     http://www.elmos.de 
 
Ende der Mitteilung                             DGAP-Media 
 
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(END) Dow Jones Newswires

February 11, 2010 05:47 ET (10:47 GMT)


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