Der neue Leistungs-MOSFET TW070J120B von Toshiba basiert auf Siliziumkarbid (SiC), einem Material mit großer Bandlücke (WBG; Wide-Bandgap), das im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs und IGBTs auf Silizium-/Si-Basis eine höhere Spannungsfestigkeit, schnelleres Schalten und einen geringeren Durchlasswiderstand bietet. Daher wird der neue MOSFET den Stromverbrauch erheblich verringern und die Leistungsdichte erhöhen, um kleinere Systeme zu ermöglichen. Hergestellt wird der neue SiC-MOSFET in Toshibas Halbleiterfertigungsprozess der zweiten Generation und er bietet eine höhere Zuverlässigkeit. Zudem ...Den vollständigen Artikel lesen ...
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