Stuttgart (ots) - +++ Erste fundamentale Veränderung im Transistoraufbau seit vierzig Jahren +++
IBM hat bekannt gegeben, eine langersehnte Verbesserung für den Transistor entwickelt zu haben. Der Transistor ist der winzige Ein/Aus-Schalter, der als Basisbaustein praktisch aller heutigen Mikrochips fungiert. In Zusammenarbeit mit AMD und Entwicklungspartnern Sony und Toshiba gelang es dem Unternehmen, einen wichtigen Bestandteil des Transistors mit einem neuen Material herzustellen. Dies eröffnet den Weg zur Entwicklung von neuen Computerschaltkreisen, die kleiner, schneller und energieeffizienter sein können als bisher für möglich gehalten wurde. Dieser Durchbruch hat voraussichtlich weit reichende Folgen, die zu Verbesserungen bei elektronischen Systemen aller Art führen können, bei Computern wie auch bei Verbraucherelektronik.
"Bis jetzt gab es für die Chipindustrie ein großes Hindernis hinsichtlich der Frage, wie weit sich jetzige Technologie weiter einsetzen lässt", sagt Dr. T.C. Chen, Vice President Science and Technology, IBM Research. "Nach mehr als zehn Jahren Forschungsaufwand haben wir jetzt einen Weg vorwärts gefunden. Dieser Durchbruch wird Anwendern in vielerlei Hinsicht nützen angesichts der Tatsache, wie umfassend Chiptechnologie heute in unser alltägliches Leben hineinreicht."
Die Technologie, genannt "high-k metal gate", bringt ein neues Material in einen wichtigen Bestandteil des Transistors ein, der die primäre Ein/Aus-Schalterfunktion steuert. Das Material bietet überlegene elektrische Eigenschaften im Vergleich zu seinem Vorgänger und verbessert die Transistorleistung. Gleichzeitig können die Dimensionen des Transistors weiter verkleinert werden.
Der Einsatz des neuen Materials kann es der Chipindustrie ermöglichen, weiter auf dem als "Mooresches Gesetz" bekannten Weg voranzuschreiten - dem Axiom der Chip-Industrie, das eine Verdopplung der Anzahl der Transistoren auf einem Chip alle 12 bis 18 Monate und damit eine entsprechende Erhöhung der Chipleistung und -funktionen voraussagt.
Originaltext: IBM Deutschland Digitale Pressemappe: http://presseportal.de/story.htx?firmaid=34980 Pressemappe via RSS : feed://presseportal.de/rss/pm_34980.rss2
Pressekontakt: Rückfragen bitte an: IBM Deutschland Hans-Juergen Rehm hansrehm@de.ibm.com
IBM hat bekannt gegeben, eine langersehnte Verbesserung für den Transistor entwickelt zu haben. Der Transistor ist der winzige Ein/Aus-Schalter, der als Basisbaustein praktisch aller heutigen Mikrochips fungiert. In Zusammenarbeit mit AMD und Entwicklungspartnern Sony und Toshiba gelang es dem Unternehmen, einen wichtigen Bestandteil des Transistors mit einem neuen Material herzustellen. Dies eröffnet den Weg zur Entwicklung von neuen Computerschaltkreisen, die kleiner, schneller und energieeffizienter sein können als bisher für möglich gehalten wurde. Dieser Durchbruch hat voraussichtlich weit reichende Folgen, die zu Verbesserungen bei elektronischen Systemen aller Art führen können, bei Computern wie auch bei Verbraucherelektronik.
"Bis jetzt gab es für die Chipindustrie ein großes Hindernis hinsichtlich der Frage, wie weit sich jetzige Technologie weiter einsetzen lässt", sagt Dr. T.C. Chen, Vice President Science and Technology, IBM Research. "Nach mehr als zehn Jahren Forschungsaufwand haben wir jetzt einen Weg vorwärts gefunden. Dieser Durchbruch wird Anwendern in vielerlei Hinsicht nützen angesichts der Tatsache, wie umfassend Chiptechnologie heute in unser alltägliches Leben hineinreicht."
Die Technologie, genannt "high-k metal gate", bringt ein neues Material in einen wichtigen Bestandteil des Transistors ein, der die primäre Ein/Aus-Schalterfunktion steuert. Das Material bietet überlegene elektrische Eigenschaften im Vergleich zu seinem Vorgänger und verbessert die Transistorleistung. Gleichzeitig können die Dimensionen des Transistors weiter verkleinert werden.
Der Einsatz des neuen Materials kann es der Chipindustrie ermöglichen, weiter auf dem als "Mooresches Gesetz" bekannten Weg voranzuschreiten - dem Axiom der Chip-Industrie, das eine Verdopplung der Anzahl der Transistoren auf einem Chip alle 12 bis 18 Monate und damit eine entsprechende Erhöhung der Chipleistung und -funktionen voraussagt.
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