SAN ANTONIO (Texas, USA), 5. März 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC (http://www.apec-conf.org/)) - GaN Systems, der weltweite Marktführer im Bereich von GaN-Leistungshalbleitern, hat heute den energieeffizientesten 100 V GaN-Leistungstransistor mit der höchsten Nennstromangabe vorgestellt, den GaN E-HEMT für 100 V, 120 A, 5 mOmega [GS-010-120-1-T (https://gansystems.com/gan-transistors/)]. Der neue Leistungstransistor übertrifft das von GaN Systems entwickelte 90 A-Bauteil um das 1,3-Fache - und andere Hochspannungs-GaN in der Branche sogar um das 2,4- bis 4,6-Fache. Der GS-010-120-1-T ist ein GaN-on-Silicon-Leistungstransistor (http://www.gansystems.com) im Erweiterungsmodus, der alle Vorteile bei der Gestaltung der Siliziumkomponenten und der Bauform in sich vereint, die GaN Systems anbietet. Dieser neue GaN-Transistor wird auf der APEC (http://gansystems.com/apec2018/) in San Antonio, Texas (USA) vom 4.-8. März 2018 am Stand 1041 ausgestellt.
Der bahnbrechende Transistor ist ideal für die wachsende Zahl von 48 V-Anwendungen in Automobilbranche, Industrie und in der Branche für erneuerbare Energien geeignet, die Energieanlagen mit hohen Leistungspegeln in kleineren Formfaktoren benötigen. Die Markteinführung eines Produkts wie des GS-010-120-1-T führt zur Verwirklichung von elektrischen Fahrzeugen mit größerer Reichweite, Anlagen zur Erzeugung von erneuerbaren Energien mit niedrigeren Betriebskosten sowie kleineren, hochgradig integrierten industriellen Stromversorgungsanlagen.
Zusätzlich ermöglicht der Transistor eine höhere Flexibilität beim Design und bietet die Möglichkeit von sofortigen Spezifikationsänderungen. Der Transistor ist footprint-kompatibel mit dem 100 V, 90 A GaN E-HEMT von GaN Systems (GS61008T (http://gansystems.com/gan-transistors/gs61008t/)) und ermöglicht Kunden so, weitere Leistung hinzufügen, indem sie ihn anstelle des GS-010-120-1-T verbauen, ohne die Platine verändern zu müssen. Durch die Erhöhung der Stromstärke bei Beibehaltung einer gleich großen Bauform können Kunden die Leistung effektiv um 33 Prozent erhöhen - und das bei gleichem Systemvolumen.
"Mit unserer Technologie-Roadmap wollen wir dem wachsenden Bedarf an herausragenden GaN-Technologielösungen (http://www.gansystems.com/) im Bereich der 100 V- und 650 V-Anwendungen gerecht werden", erklärt Larry Spaziani, Vice-President, Sales & Marketing bei GaN Systems. "Der neue 100 V, 120 A GaN E-HEMT und auch unser erst kürzlich angekündigter 650 V, 120 A GaN E-HEMT gehören zu einer großen Anzahl von neuen Hochleistungs-GaN-Transistoren und -Lösungen, die wir auf den Markt gebracht haben. Als Weltmarktführer im Bereich der GaN-Leistungshalbleiter ist es unsere Absicht, fortlaufend Produkte anzubieten, die derart gestaltet sind, dass sie die Anforderungen von Stromversorgungssystemen mit Bezug auf die Effizienz und Zuverlässigkeit bei den aktuell anspruchsvollsten Anwendungen übertreffen."
Wenn Sie weitere Informationen erhalten möchten, kontaktieren Sie bitte den Vertrieb von GAN Systems (https://gansystems.com/contact/) oder besuchen Sie GaN Systems am Stand 1041 auf der APEC.
Über GaN Systems
GaN Systems ist weltweiter Marktführer im Bereich der GaN-Leistungshalbleiter mit dem größten Produktprogramm von Transistoren, die die Bedürfnisse der Branchen mit den höchsten Ansprüchen auf einzigartige Weise erfüllen, darunter Rechenzentrumsserver, Anlagen zur Erzeugung von erneuerbaren Energien, die Automobilbranche, industrielle Antriebssysteme und Unterhaltungselektronik.
Als marktführender Innovator ermöglicht GaN Systems das Design von kleineren, kostensparenden und effizienteren Energieanlagen. Die preisgekrönten Produkte des Unternehmens bieten Designmöglichkeiten für Anlagen, die sich von den früher durch Silikon bedingten Einschränkungen befreit haben. Dadurch, dass das Unternehmen die Regeln für Transistorleistung neu geschrieben hat, ermöglicht GaN Systems Leistungsumwandlungsunternehmen, ihre Branche zu revolutionieren und die Welt zu verändern. Wenn Sie weitere Informationen erhalten möchten, besuchen Sie www.gansystems.com (http://www.gansystems.com) oder finden Sie uns auf Facebook (https://www.facebook.com/GaNSystemsInc/), Twitter (https://twitter.com/GaNSystems) und LinkedIn (https://www.linkedin.com/company/464979/).
Medienkontakt:
Mary Placido
Trier and Company for GaN Systems
mary@triercompany.com (mailto:mary@triercompany.com)
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Source: GaN Systems via Globenewswire