Zweite Produktlinie AEC-Q101-qualifizierter GaN-FETs jetzt bei 175°C angeboten
Transphorm Inc. der Marktführer bei der Planung und Herstellung der zuverlässigsten, ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten 650-V-Galliumnitrid-Halbleiter (GaN) hat heute bekannt gegeben, dass seine JEDEC-qualifizierte Hochspannungs-GaN-Plattform der dritten Generation die AEC-Q101-Stresstests des Automotive Electronics Council für in Automobilen einsetzbare diskrete Halbleiter bestanden hat. Dieser Erfolg stellt die zweite für Automobile geeignete Produktlinie des Unternehmens dar. Und es sei darauf hingewiesen, dass sie sehr zuverlässig ist man beachte die Fähigkeit der GaN-Plattform der dritten Generation, bei Qualifikationsprüfungen auch bei 175°C zu funktionieren.
Der AEC-Q101 GaN-FET der dritten Generation von Transphorm, der TP65H035WSQA, bietet in einem TO-247-Gehäuse nach Branchenstandard einen typischen On-Widerstand von 35 mO. Ebenso wie das Vorgängermodell der 50 m? Gen II TPH3205WSBQA - sind die Geräte auf AC/DC-Bordladegeräte (OBCs), DC-to-DC-Wandler und DC/AC-Wechselrichtersysteme für Plug-in-hybride Elektrofahrzeuge (PHEVs, Plug-in Hybrid Electric Vehicles) und batterieelektrische Fahrzeuge (BEV, Battery Electric Vehicles) ausgerichtet.
Unübertroffene Werte bei der Zuverlässigkeit
Die im Juni 2018 auf den Markt gekommenen Transphorm-Geräte der dritten Generation wurden als die zuverlässigsten und hochwertigsten [Q+R] GaN-FETs auf den Markt gebracht, die es gibt. Sie boten eine geringere elektromagnetische Interferenz sowie eine erhöhte Störimmunität [Schwellenspannung bei 4 V] und Gate-Robustheit [bei ±20 V]. Diese Fortschritte haben für leiseres Umschalten und höhere Leistung bei höheren Stromstärken mit minimalen externen Schaltungen gesorgt.
Dieses Engagement für Q+R trägt zu Transphorms Entscheidung für die Durchführung erweiterter, beschleunigter Standard-Tests bei, darunter JEDEC und AEC-Q101. Für diese neueste Automobilqualifizierung strapazierte der Halbleiterhersteller die thermischen Grenzen der Geräte um 25°C mehr als bei den standardmäßigen AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-Silicium-MOSFET-Gegenstücken.
Mit den Tests bei höheren Temperaturen kann nicht nur die Robustheit der GaN-Plattform nachgewiesen, sondern auch demonstriert werden, dass die AEC-Q101 GaN-FETs von Transphorm den Entwicklungsingenieuren bei der Entwicklung von Stromversorgungssystemen jeglicher Art reichlich thermische Reserven geben werden.
"Der Nachweis der Qualität und Zuverlässigkeit von Geräten ist vielleicht der entscheidendste der Faktoren, die das Vertrauen der Kunden in Hochspannungs-GaN-FETs beeinflussen insbesondere auf den Märkten für Automobile und Elektrofahrzeuge", so Philip Zuk, Vizepräsident für weltweites technisches Marketing bei Transphorm. "In diesem Sinne können wir versichern, dass unser GaN seine Leistung und Zuverlässigkeit auch unter Praxisbedingungen beibehält, die um vieles härter sind als die bei Einsatzprofilen erforderlichen. Wie die veröffentlichten Daten zur Zuverlässigkeit zeigen, hat unsere JEDEC-qualifizierte Plattform der dritten Generation eine Field-Failure-FIT-Rate von 3, was der von Siliciumcarbid entspricht. Es ist diese hohe Zuverlässigkeit, die es Transphorm ermöglicht hat, einen Automobil-FET der dritten Generation bei 175 Grad Celsius herauszugeben."
Das zweite AEC-Q101-qualifizierte Gerät des Unternehmens bestätigt die Q+R von Transphorm weiter. Dies konnte auch mit der Veröffentlichung der ersten Field-Reliability-Daten und der ersten Berechnungen der Branche zur Häufigkeit vorzeitiger Ausfälle im Januar 2019 bewiesen werden woraus die oben genannte FIT-Rate abgeleitet wird.
Über Transphorm
Transphorm fertigt Leistungselektronik, die die Grenzen des Siliziums überwindet. Das Unternehmen konstruiert, fertigt und verkauft GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Hochspannungsstromanwendungen. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios (über 1.000 erteilte Patente und anhängige Patente weltweit) ist Transphorm das einzige Unternehmen der Branche, das JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierte GaN-FETs produziert. Dies beruht auf dem vertikal integrierten Geschäftsansatz, der Innovationen in jeder Phase der Entwicklung zulässt: Design und Herstellung von Materialien und Geräten, Fertigung, Verpackung, Referenzschaltungs-Designs und Anwendungsunterstützung. Website: transphormusa.com Twitter: @transphormusa
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