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Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- Anlagen / Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern

DJ Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- Anlagen / Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern

DGAP-Media / 2021-12-02 / 16:40

Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- Anlagen

Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern / AIX G5 WW C-System erfüllt hohe Qualitätsansprüche der SiC-Leistungselektronik

Herzogenrath, 2. Dezember 2021 - Der Experte für Halbleiterbauelemente Nexperia setzt beim Einstieg in den Markt für Hochleistungs-SiC-Bauelemente auf die Produktionstechnologie von AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6). Für die Serienproduktion der Siliziumkarbid-Epi-Wafer für SiC-Leistungsbauelemente benötigt Nexperia eine auch bei hohen Stückzahlen gleichbleibend exzellente Qualität der Epi-Wafer. Gleichzeitig können die Kosten in der Fertigung der SiC-Bauelemente durch den hohen Durchsatz reduziert werden.

Als einer der führenden Experten auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen plant Nexperia nach dem Eintritt in den SiC-Dioden-Markt die kontinuierliche Erweiterung seines Portfolios an Siliziumkarbid-Bauteilen. AIXTRON, einer der führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, erfüllt mit der vollautomatischen AIX G5 WW C-Plattform die hohen Qualitätsansprüche an die Siliziumkarbid-Wafer für die Leistungselektronik.

Die AIX G5 WW C - Die Referenz für die SiC-Materialherstellungstechnologie

"Wide-Band-Gap-Halbleiter wie Galliumnitrid und Siliziumkarbid verfügen über einzigartige physikalische Eigenschaften. Sie ermöglichen eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei niedrigeren System- und Betriebskosten. Auch die SiC-Technologie ist jetzt so weit fortgeschritten, dass sie die strengen Anforderungen bei der Massenproduktion von Bauelementen für moderne Konsum- und Industriegüter erfüllt. Deshalb ist jetzt die Zeit reif für unseren nächsten strategischen Schritt, die Erweiterung unseres Portfolios um Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von Siliziumkarbid", sagt Mark Roeloffzen, General Manager der Bipolar Discretes Group bei Nexperia.

Er fügt hinzu: "Dabei decken wir künftig im Bereich der Hochleistungsbauelemente auch die Wertschöpfungsstufe der Epi-Wafer-Produktion ab. Für diesen wichtigen Meilenstein wissen wir mit AIXTRON den richtigen Partner an Nexperias Seite."

Seit Jahrzenten arbeitet AIXTRON mit führenden Instituten und Industriepartnern weltweit an der Nutzung der Vorteile neuer Verbindungshalbleiter-Materialklassen wie SiC und GaN für die Leistungselektronik und erschließt mit neuesten Produktionstechnologien auch die Nutzung von 200mm-Wafern.

Der Planetary Reactor(R) der neuesten Generation von AIXTRON ist speziell auf die sehr hohen Anforderungen der SiC-Leistungselektronik zugeschnitten. Die Anlage sichert die notwendige exzellente Qualität der Epitaxie-Schichten auf den Wafern und wurde deshalb von Marktführern im Bereich Siliziumkarbid für die Fertigung von SiC-Bauelementen qualifiziert.

SiC-Leistungselektronik für die Anwendungen der Zukunft

"Nexperia positioniert sich zum richtigen Zeitpunkt in einem der spannendsten Wachstumsmärkte in der Halbleiterindustrie. Wir freuen uns, dass sich Nexperia für uns als Partner bei diesem wichtigen strategischen Schritt in einen neuen Zukunftsmarkt entschieden hat. Die Leistungseigenschaften der Materialklassen Siliziumkarbid und Galliumnitrid bieten mit ihrem hohen Wirkungsgrad ein höchst attraktives Potenzial für Energieeinsparung, Wärmereduzierung, Gewichts- und Anlagengrößenreduzierung und damit geringere Gesamtsystemkosten", sagt Dr. Felix Grawert, Vorsitzender des Vorstands von AIXTRON SE.

"SiC- und GaN-Halbleiter bieten im Vergleich zu konventioneller Leistungselektronik auf Basis von Silizium-Wafern eine höhere Energieeffizienz in der Anwendung und tragen dadurch erheblich zu einem geringeren CO[2]-Ausstoß bei. Die Eigenschaften der Materialien prädestinieren sie insbesondere für die Anwendungen in Elektrofahrzeugen und deren Ladestationen, Rechenzentren oder im Bereich der Erneuerbaren Energien wie Solar- und Windkraftanlagen", fügt Dr. Felix Grawert hinzu.

Zu Beginn des Jahres hatte Nexperia bereits begonnen, sowohl in die Erweiterung seiner Produktionskapazitäten als auch in Forschung und Entwicklung weltweit umfangreich zu investieren. Im Rahmen der globalen Wachstumsstrategie sind für Europa in diesem Jahr u.a. Effizienzsteigerungen bei der Produktion und die Implementierung neuer 200mm-Technologien in den europäischen Wafer-Fabriken in Hamburg, Manchester und Newport geplant. In Hamburg investiert das Unternehmen in neue Technologien für die Erweiterung seines "Wide-Band-Gap"-SiC-Leistungsbauelemente-Angebots.

Zum Download von Fotos klicken Sie bitte hier: AIXTRON und Nexperia

Ansprechpartner

AIXTRON SE Guido Pickert Vice President Investor Relations & Corporate Communications fon +49 (2407) 9030-444 e-mail g.pickert@aixtron.com

Rita Syre Senior PR Manager fon +49 (2407) 9030-3665 mobile +49 (162) 269 3791 e-mail r.syre@aixtron.com Nexperia Petra Beekmans, Head of Communications & Branding Telefon: +31 6 137 111 41 E-Mail: petra.beekmans@nexperia.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Close Coupled Showerhead(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap^TM, OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Über Nexperia

Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 100 Milliarden Produkte im Jahr aus, die die strengen Anforderungen der Automobilindustrie erfüllen. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, und Leistungsfähigkeit immer wieder neue Maßstäbe - und das bei branchenführend kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf. Mit jahrzehntelanger Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia über 12.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001 zertifiziert.

Weitere Informationen über Nexperia sind im Internet unter www.nexperia.com verfügbar

Zukunftsgerichtete Aussagen AIXTRON SE

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor. Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE Schlagwort(e): Unternehmen

2021-12-02 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch DGAP - ein Service der EQS Group AG. Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich. Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen. Medienarchiv unter http://www.dgap.de

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Sprache:   Deutsch 
Unternehmen: AIXTRON SE 
       Dornkaulstraße 2 
       52134 Herzogenrath 
       Deutschland 
Telefon:   +49 (2407) 9030-0 
Fax:     +49 (2407) 9030-445 
E-Mail:    invest@aixtron.com 
Internet:   www.aixtron.com 
ISIN:     DE000A0WMPJ6 
WKN:     A0WMPJ 
Indizes:   MDAX, TecDAX 
Börsen:    Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, 
       München, Stuttgart, Tradegate Exchange; Nasdaq OTC 
EQS News ID: 1253869 
 
Ende der Mitteilung DGAP-Media 
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1253869 2021-12-02

Bildlink: https://eqs-cockpit.com/cgi-bin/fncls.ssp?fn=show_t_gif&application_id=1253869&application_name=news

(END) Dow Jones Newswires

December 02, 2021 10:40 ET (15:40 GMT)

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