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EU-Projekt TRANSFORM: AIXTRON treibt die grüne Wirtschaft voran / Aufbau einer nachhaltigen Siliziumkarbid-Lieferkette in Europa im Rahmen des EU-Projekts TRANSFORM

DJ EU-Projekt TRANSFORM: AIXTRON treibt die grüne Wirtschaft voran / Aufbau einer nachhaltigen Siliziumkarbid-Lieferkette in Europa im Rahmen des EU-Projekts TRANSFORM

DGAP-Media / 2021-12-08 / 11:07

EU-Projekt TRANSFORM: AIXTRON treibt die grüne Wirtschaft voran Aufbau einer nachhaltigen Siliziumkarbid-Lieferkette in Europa im Rahmen des EU-Projekts TRANSFORM / Zusammenarbeit von 34 führenden Spezialisten der SiC-Technologie / Energieeinsparung von bis zu 30% erwartet

Herzogenrath, 8. Dezember 2021 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist Partner des EU-Zukunftsvorhabens "TRANSFORM - Trusted European SiC Value Chain for a greener Economy". Das von der EU und nationalen Förderbehörden finanzierte Forschungs- und Entwicklungsprojekt treibt die Erstellung einer wettbewerbsfähigen europäischen Lieferkette für Leistungselektronik auf Basis der Siliziumkarbid (SiC)-Halbleitertechnologie innerhalb der nächsten drei Jahre voran. Dazu arbeiten die 34 wichtigsten europäischen Experten im Bereich Siliziumkarbid-Technologie aus sieben EU-Ländern zusammen.

Die Lieferkette soll Europa zuverlässig mit Siliziumkarbid-Komponenten und

-Systemen versorgen. Die europäische Wertschöpfungskette reicht von Substraten bis hin zu Energiewandlern wie Transistoren oder Module. Ebenfalls Teil dieser Wertschöpfungskette ist nicht zuletzt die notwendige industrielle Halbleiterproduktionstechnik wie produktionserprobte CVD-Systeme (Chemical Vapor Deposition) mit hoher Ausbeute.

SiC-Technologie der nächsten Generation

AIXTRON übernimmt bei dem Zukunftsvorhaben als einer der weltweit führenden Anbieter von CVD-Produktionstechnologie zur Herstellung von SiC-Schichten für die Leistungselektronik Aufgaben wie die weitere Verbesserung der CVD-Depositionstechnologie für Siliziumkarbid. Dazu gehört die Entwicklung einer Technologie zur gleichzeitigen CVD-Beschichtung von mehreren 200 mm-SiC-Substraten und einer CVD-Anlagentechnologie für Smart Cut SiC-Substrate. Das technologische Verfahren Smart Cut ermöglicht die Übertragung sehr feiner und dünner Schichten aus kristallinem Siliziumkarbidmaterial auf einen Träger (Substrat).

Eine leistungsstarke industrielle CVD-Anlage zur Abscheidung von Siliziumkarbid ist Dreh- und Angelpunkt bei der gemeinsam von den Projektpartnern zu entwickelnden Siliziumkarbid-Technologie der nächsten Generation. Die Anwendungsmöglichkeiten und die Nachfrage nach SiC-Technologie sind sehr groß und reichen von industriellen Antrieben und Energieumwandlung über erneuerbare Energien bis hin zur Elektromobilität.

Erwartete Energieeinsparungen durch Siliziumkarbid-Technologie von bis zu 30 Prozent

Die Siliziumkarbid-basierte Leistungselektronik ermöglicht sehr hohe Energieeinsparungen, da sie elektrische Energie deutlich effizienter nutzt als der derzeit noch vorherrschend eingesetzte Halbleiter Silizium. Je nach Anwendung werden Energieeinsparungen durch den Einsatz der Siliziumkarbid-Technologie von bis zu 30 Prozent erwartet.

"Mit einer solchen leistungsstarken und gleichzeitig energiesparenden Siliziumkarbid-Lieferkette können wir leistungselektronische Systeme endlich ganzheitlich optimieren und so die Energieeffizienz erreichen, die wir dringend benötigen. TRANSFORM kann diesen wichtigen Beitrag nicht nur zur europäischen Wettbewerbsfähigkeit, sondern auch zur nachhaltig grüneren Wirtschaft in Europa durch eine deutliche Steigerung der Energieeffizienz mit der SiC-Technologie leisten", sagt Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei der AIXTRON SE.

Das Projekt TRANSFORM wird von der Europäischen Kommission (Kennzeichen 16MEE0131) gefördert.

Ansprechpartner

Guido Pickert Vice President Investor Relations & Corporate Communications fon +49 (2407) 9030-444 e-mail g.pickert@aixtron.com

Rita Syre Senior PR Manager fon +49 (2407) 9030-3665 mobile +49 (162) 269 3791 e-mail r.syre@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Close Coupled Showerhead(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap^TM, OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor. Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE Schlagwort(e): Forschung/Technologie

2021-12-08 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch DGAP - ein Service der EQS Group AG. Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich. Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen. Medienarchiv unter http://www.dgap.de

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Sprache:   Deutsch 
Unternehmen: AIXTRON SE 
       Dornkaulstraße 2 
       52134 Herzogenrath 
       Deutschland 
Telefon:   +49 (2407) 9030-0 
Fax:     +49 (2407) 9030-445 
E-Mail:    invest@aixtron.com 
Internet:   www.aixtron.com 
ISIN:     DE000A0WMPJ6 
WKN:     A0WMPJ 
Indizes:   MDAX, TecDAX 
Börsen:    Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, 
       München, Stuttgart, Tradegate Exchange; Nasdaq OTC 
EQS News ID: 1255347 
 
Ende der Mitteilung DGAP-Media 
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1255347 2021-12-08

Bildlink: https://eqs-cockpit.com/cgi-bin/fncls.ssp?fn=show_t_gif&application_id=1255347&application_name=news

(END) Dow Jones Newswires

December 08, 2021 05:07 ET (10:07 GMT)

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