Im kürzlich gestarteten Projekt "GaN4EmoBiL - GaN-Leistungshalbleiter für Elektromobilität und Systemintegration durch bidirektionales Laden" entwickelt ein Konsortium unter der Leitung des Fraunhofer IAF neue Halbleiter-, Bauelement- und Systemtechnologien für die 800-Volt-Klasse. Damit soll das bidirektionale Laden in die Breite Masse gebracht werden. Ziel des Konsortiums aus Fraunhofer IAF, Uni ...Den vollständigen Artikel lesen ...