SMA beteiligt sich an Forschungsverbund zur Entwicklung von Wechselrichter mit Galliumnitrid-Transistoren

Gleich mehrere Universitäten, Forschungsinstitute und einige Vertreter aus der Wirtschaft nehmen sich der Entwicklung einer neuen Generation von Wechselrichtern an. Durch die Verwendung von Galliumnitrid-Halbleitern sollen die Geräte vor allem kleiner und leichter werden.Extrem schnell schaltende Galliumnitrid-Halbleiter könnten schon bald ihren Nutzen in Photovoltaik-Wechselrichtern finden. Dazu ist ein vom Bundesministerium für Wirtschaft gefördertes Forschungsprojekt an der Hochschule Bonn-Rhein-Sieg gestartet. Unter dem Projektnamen "GaN-HighPower" arbeiten das Fraunhofer-Institut für Energiewirtschaft ...

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